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和记h188_Kioxia展示了NAND闪存的潜在替代产品



资料滥觞:Kioxia

Kioxia(原为东芝存储)有望创建3D NA和记h188ND闪存的后继产品,与QLC NAND闪存比和记h188拟,该产品可供给更高的存储密度。这项于周四发布的新技巧容许存储芯片具有更小的单元和每个单元更多的存储空间,这可以明显前进每个单元的存储密度。

Kioxia(原为东芝存储)创造了3D NAND闪存存储的潜在继任者

上周四,Kioxia发布了天下上第一个“三维半圆形决裂栅闪存单元布局”,称为Twin BiCS Flash。这与Kioxia的其他产品BiCS5 Flash不合。和记h188BiCS5闪存应用圆形电荷陷阱单元,而Twin BiCS闪存应用半圆形浮栅单元。新的布局扩大年夜了对单元进行编程的窗口,只管与CT技巧比拟,单元在物理上更小。

Twin BiCS闪存是今朝在QLC NAND技巧中成功的最佳选择,只管该芯片的未来实现要领仍旧未知。只管今朝存在三种矫正措施,但这种更新的芯片明显增添了闪存的存储量,这对付制造商来说是一个大年夜问题。

制造商已经设想了增添NAND闪存密度的一种盛行措施,一种增添存储层的措施,已经设想和记h188了500和800层NAND芯片。制造商近来经由过程了96层NAND闪存芯片,并实现了128位NAND闪存芯片。增添NAND闪存密度的另一种措施是减小单元的大年夜小,这容许将更多的单元装入单个层中。

增添NAND闪存密度的着末一种措施是前进每个单元的总位,这是制造商最常用的。这种要领给了我们SLC,MLC,TLC和最新的QLC NAND,与曩昔的技巧比拟,每个单元的bit数增添了一个。

资料滥觞:Kioxia

Twin BiCS Flash是这项较新的技巧,今朝仍处于研发阶段,间隔实施还差很多年。只管计划在2020年宣布BiCS5 128层NAND闪存芯片,但制造商SK海力士和三星能够在2019年头?年月经由过程128层4D NAND和V-NAN和记h188D v6冲破100层里程碑。

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